LED 灯珠的封拆形式

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小强
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LED(半导体发光二极管)封拆是指发光芯片的封拆,比拟集成电路封拆有较大差别。LED的封拆不只要求可以庇护灯炷,并且还要可以透光。所以LED的封拆对封拆素材有特殊的要求。

根据差别的利用场所、差别的外形尺寸、散热计划和发光效果。将LED封拆形式分为:引脚式、功率型封拆、贴片式(SMD)、板上芯片曲拆式(COB)、Chip-LED、UVC金属、陶瓷封拆等七个段落讲述。

01

引脚式(Lamp)LED封拆

▲ 引脚式(Lamp)LED封拆

LED脚式封拆摘用引线架做各类封拆外型的引脚,是更先研发胜利投放市场的封拆构造,品种数量繁多,手艺成熟度较高,封拆内构造与反射层仍在不竭改进。常用3~5mm封拆构造,一般用于电流较小(20~30mA),功率较低(小于0.1W)的LED封拆。次要用于仪表展现或指示,大规模集成时也可做为展现屏。其缺点在于封拆热阻较大(一般高于100K/W),寿命较短。

02

功率型LED封拆

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▲ 功率型LED封拆

LED芯片及封拆向大功率标的目的开展,在大电流下产生比Φ5mmLED大10~20倍的光通量,必需摘用有效的散热与不劣化的封拆素材处理光衰问题,因而,管壳及封拆也是其关键手艺,能承担数W功率的LED封拆已呈现。5W系列白、绿、蓝绿、蓝的功率型LED从2003岁首年月起头供货,白光LED光输出达 1871m,光效44.31 lm/W绿光衰问题,开发出可承担10W功率的LED,大面积管;尺寸为2.5mm X2.5mm,可在5A电流下工做,光输出达2001lm,做为固体照明光源有很大开展空间。

03

外表组拆(贴片)式(SMD)LED封拆

▲ 外表组拆(贴片)式(SMD)LED封拆

早在2002年,外表贴拆封拆的LED(SMDLED)逐步被市场合承受,并获得必然的市场份额从引脚式封拆转向SMD契合整个电子行业开展大趋向,良多消费厂商推出此类产物。SMDLED是目前LED市场占有率更高的封拆构造,那种LED封拆构造操纵注塑工艺将金属引线框架包裹在PPA塑料之中,并构成特定外形的反射杯,金属引线框架从反射杯底部延伸至器件侧面,通过向外平坦或向内折弯构成器件管脚。改进型的SMDLED构造是陪伴着白光LED照明手艺呈现的,为了增大单个 LED器件的利用功率以进步器件的亮度,工程师起头觅觅降低SMDLED热阻的办法,并引进了热沉的概念。那种改进的构造降低了最后SMDLED构造的高度,金属引线框架间接置于LED器件底部,通过注进塑料围绕金属框架构成反射杯,芯片置于金属框架之上,金属框架通过锡膏,间接焊接于线路板上,构成垂曲散热通道。因为素材手艺的开展,SMD封拆手艺已经征服了散热、利用寿命等早期存在的问题,能够用于封拆1~3W的大功率白光LED芯片。

04

COB-LED封拆

▲ COB-LED封拆

COB封拆可将多颗芯片间接封拆在金属基印刷电路板MCPCB,通过基板间接散热,不只能削减收架的造造工艺及其成本,还具有削减热阻的散热优势。PCB 板能够是低成本的FR-4素材(玻璃纤维加强的环氧树脂),也能够是高热导的金属基或陶瓷基复合素材(如铝基板或覆铜陶瓷基板等)。而引线键合可摘用高温下的热超声键合(金丝球焊)和常温下的超声波键合(铝劈刀焊接)。COB手艺次要用于大功率多芯片阵列的LED封拆,同SMD比拟,不只大大进步了封拆功率密度,并且降低了封拆热阻(一般为6-12W/m·K)。

从成本和利用角度来看,COB将成为将来灯具化设想的支流标的目的。COB封拆的LED模块在底板上安拆了多枚LED芯片,利用多枚芯片不只可以进步亮度,还有助于实现LED芯片的合理设置装备摆设,降低单个LED芯片的输进电流量以确保高效率。并且那种面光源能在很大水平上扩展封拆的散热面积,使热量更随便传导至外壳。传统的LED灯具做法是:LED光源分立器件—MCPCB光源模组—LED灯具,次要是基于没有适用的核心光源组件而摘取的做法,不单耗工费时,并且成本较高。现实上,假设走“COB光源模块—LED灯具”的道路,不单能够省工省时,并且能够节约器件封拆的成本。

05

Chip-LED封拆

▲ Chip-LED封拆

Chip-LED封拆系列有着极薄的外表封拆(SMT)发光二极管所摘用的高亮度芯片的低功率LED的尺寸只要铅笔头大小,它以最小的耗电量实现了卓著的照明功用,具有高亮度和小尺寸的长处,十分合适在艰辛情况中依靠各类小型产物在工做上利用。LED使设想者在导航系统、手机、工业掌握系统、交通信号灯和动静板的背光键盘、展现屏等利用中进步设想乖巧性,实现高性能。

06

UVC金属-LED封拆

▲ UVC金属-LED封拆

UVCLED的继续升温让市场变得炽热起来。各人都晓得UVCLED杀菌消毒效果显著,热治理是进步UVCLED寿命的关键,有效的LED后背成为有效散热的独一路子,而目前市道上UVCLED根本以倒拆芯片搭配高导热氮化铝基板的计划为主。氮化铝(AIN)具有优良的导热性(140W/mK-170W/mK),能耐紫外线光源自己的老化,称心UVCLED高热治理的需求。摘用金锡共晶焊并处于行业领先程度。通过助焊剂停止共晶焊接,能有效提拔芯片与基板的连系强度,导热率,有利于UVCLED的操行管控。具有极佳的散热效果、较长的产物寿命以及优良的产物品控。

07

陶瓷-LED封拆

▲ 陶瓷-LED封拆

2016中国研发自主研发荧光陶瓷白光大功率封拆手艺,处理了LED大功率照明普及存在的热治理困难及封拆素材失效难题。实现了胜利封拆1000W光源的LED灯,整块光源芯全面积只比1元钱硬币大一点。并于北京2018年北京冬奥会操练场馆照明,替代2000W金卤灯。用陶瓷做封拆素材,能明显削减用电量和碳排放量,均匀节电率可达70%摆布。“以300W通明荧光陶瓷封拆LED工矿灯替代1000W金卤灯为例:1000W金卤灯约2000元,利用寿命约为1年,LED灯价格按金卤灯的2倍即4000元测算,寿命至少5年。照实现替代以天天利用10小时测算,1年即可收回成本,5年可节电1.2万千瓦时。

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