在 multisim中使用C语言实现单片机控制，可以通过安装C语言库（如simcc）和编写控制代码来实现。

2、在新建的设计文档的工具栏选择“Place MCU”，在弹出的列表中选择851单片机，点击“OK”确定选择。

3、将单片机放置在Design上后会弹出MCU向导（MCU Wizard-Step 1 of 3），通过标题可以知道向导有3步，第一步需要自己选择工作空间目录和名称，这个按需求填即可，确认后点击“Next”。

4、进入“MCU Wizard - Step 2 of 3”，即第2步，需要选择的东西比较多，第一个是“Project type”（工程类型），其中Standard就是自己写代码的，而External hex file就是其他编译器生成的hex文件，不需要自己写代码。“Programming language”就不用说了，可以选择C或者汇编，编译器一般默认即可，“Project name”按需要命名，点击“Next”确认。

5、在第三步需可以选择创建一个空的工程（Create empty project）或者在创建的时候自动添加一个源文件，文件名默认为main.c，建议默认配置，确认后点击“Finish”。

6、工程监理完毕，可以在工程下面看到一个main.c的文件，点击可以查看该文件。

7、通常会自动生成一个main函数，这里需要特别注意，由于Multisim找不到Hi-Tech C51 Lite compiler编译器的帮助文档，很多东西都需要自己摸索，最让人头疼的是它都没有提供C语言的头文件，连寄存器都需要自己去定义，这里建议使用强制指针将常量地址转换为寄存器地址，然后可以直接赋值访问了，图中是一个对P的8个端口循环取反的操作，效果是P端口不停的翻转，生成一个高速的脉冲信号。

8、程序写完后，添加一个示波器，用于查看P端口信号，然后点击运行按钮。

9、由于我们没有添加电源，软件编译后报错。

1、添加电源后，程序运行OK，可以在虚拟示波器中看到预期中的脉冲方波。

11、更改一下程序，将低电平设置比高电平短，运行后效果一致，说明程序操作是没有问题的。

12、添加电源后，程序运行OK，可以在虚拟示波器中看到预期中的脉冲方波。

13、更改一下程序，将低电平设置设为比高电平短的两倍，运行后效果一致，说明程序操作是没有问题的。

14、添加电源后，程序运行OK，可以在虚拟示波器中看到预期中的脉冲方波。

15、添加电源后，程序运行OK，可以在虚拟示波器中看到预期中的脉冲方波。